ТОМ 50, №5
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 3. Моделирование МДП-структур
Автор: Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр: 845
Абрамов И. И., Харитонов В. В. .
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 3. Моделирование МДП-структур // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 50, №5. С. 845.
Возврат к списку