ТОМ 53, №1
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 5. Трехмерное моделирование элементов СБИС
Автор: Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр: 135
Абрамов И. И., Харитонов В. В. .
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 5. Трехмерное моделирование элементов СБИС // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 53, №1. С. 135.
Возврат к списку