ТОМ 53,   №1

Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 5. Трехмерное моделирование элементов СБИС


 

Автор:  Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр:  135

Абрамов И. И., Харитонов В. В. .  Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 5. Трехмерное моделирование элементов СБИС // Инженерно-физический журнал. . ТОМ 53, №1. С. 135.


Возврат к списку