ТОМ 69, №5
Стимулированный оптическим излучением эффект разделения зарядов на p-n переходе в системе алмазоподобный углерод-кремний
Исследуется возможность создания эффективных солнечных элементов на кремнии в системе алмазоподобный углерод-кремний. Выяснено, что необходимым условием является сохранение в легированной железом пленке углерода ближнего порядка алмазной решетки, согласованной с решеткой кремния, и образование на этой основе p-n перехода.
Автор: И. В. Апанович
Стр: 738-740
И. В. Апанович.
Стимулированный оптическим излучением эффект разделения зарядов на p-n переходе в системе алмазоподобный углерод-кремний // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 69, №5. С. 738-740.
Возврат к списку