Моделирование методом Монте-Карло разогрева электронов в одномерной GaAs-квантовой проволоке

Исследован процесс переноса одномерных электронов в GaAs-квантовой проволоке с помощью метода Монте-Карло. Показано, что заметное влияние на эффект разогрева носителей заряда при полях, больших 5*10⁵ В/м, помимо рассеяния на полярных оптических фононах, оказывают также рассеяние на ионизированной примеси и поперечные размеры проводника
Автор:  В. М. Борздов, О. Г. Жевняк, Ф. Ф. Комаров, А. В. Хомич
Стр:  226-229