ТOM 71, №3
Расчет тока затвора, обусловленного инжекцией горячих электронов в подзатворный окисел субмикронного МОП-полевого транзистора
Проведен расчет тока затвора субмикронного МОП-полевого транзистора с использованием модели "удачливых электронов", основные параметры которой оценены по результатам кинетического моделирования электронного переноса методом Монте-Карло.
Автор: В. М. Борздов , Н. П. Борейко , В. О. Галенчик , О. Г. Жевняк , Ф. Ф. Комаров
Стр: 534-537
В. М. Борздов , Н. П. Борейко , В. О. Галенчик , О. Г. Жевняк , Ф. Ф. Комаров.
Расчет тока затвора, обусловленного инжекцией горячих электронов в подзатворный окисел субмикронного МОП-полевого транзистора // Инженерно-физический журнал.
1998. ТOM 71, №3. С. 534-537.
Возврат к списку