Развитие горизонтальной направленной кристаллизации тугоплавких диэлектрических монокристаллов

Рассмотрены особенности математических моделей тепло- и массопереноса; определены системы уравнений, описывающих изменение высоты растущих монокристаллов, и даны рекомендации, согласно которым высота монокристаллов практически постоянна. В условиях идеального перемешивания расплава дано распределение легирующих примесей в кристалле.
Автор:  Х. С. Багдасаров , Л. А. Горяинов
Стр:  248-253