ТOM 71,   №1

Влияние уровня легирования и температуры на подвижность электронов в n-канале МОП-полевого транзистора


На основе результатов измерений и обработки вольт-амперных характеристик, а также кинетического моделирования электронного переноса методом Монте-Карло изучено влияние уровня легирования и температуры на подвижность электронов в n-канале кремниевого МОП-полевого транзистора в линейном режиме его работы.

Автор:  А. Д. Андреев , В. М. Борздов , А. А. Валиев , О. Г. Жевняк , Ф. Ф. Комаров
Стр:  116-119

А. Д. Андреев , В. М. Борздов , А. А. Валиев , О. Г. Жевняк , Ф. Ф. Комаров .  Влияние уровня легирования и температуры на подвижность электронов в n-канале МОП-полевого транзистора // Инженерно-физический журнал. 1998. ТOM 71, №1. С. 116-119.


Возврат к списку