Устройство контроля усталости конструкций на основе полупроводниковых пленок

Результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленочных структур на основе (Bi_x Sb_1-x)₂Te₃ позволили разработать технологию получения высокочувствительных полупроводниковых пленок термовакуумным испарением. Изучение характера изменения сопротивления и тензо- чувствительности при воздействии знакопеременных циклических деформаций различной амплитуды показало, что сопротивление пленок монотонно возрастает. На основе изменения сопротивления пленочных элементов предложен способ использования их в качестве датчиков накопления усталостных повреждений сложных конструкций.
Автор:  М. К. Карабаев, М. М. Ахмедов, К. Э. Онаркулов
Стр:  159