ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТЕПЛОПЕРЕНОСА ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИМПУЛЬСНОЙ МОЩНОСТИ

Проведена экспериментальная оценка температуры выпрямляющего перехода металл–p-область и p–n+ - перехода и разности температур между p–n-переходом и корпусом диода. Исследована также зависимость разности температур между корпусом диода и термостатом от мощности теплового импульса. Показано, что теплообмен теплопроводностью в p⁺ –p–m-структуре осуществляется посредством слоя m + Ag, в эпитаксиальной p⁺ –p–n⁺ -структуре через слой n+ Si + Ag и в диффузионной p_⁺ –p–n⁺ -структуре через n_дифSi + n⁺ Si + Ag-слои, что необходимо принять во внимание при расчете тепловых сопротивлений диодов.
Автор:  О. А. Абдулхаев, Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов, А. А. Каримов, Г. О. Асанова
Ключевые слова:  : р–i–n-диод, СВЧ-диод, импульс, температура перехода, температура корпуса, эпитаксия, диффузия.
Стр:  781