ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР С ПОТЕНЦИАЛЬНЫМИ БАРЬЕРАМИ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

На основе кремния с толщиной базовой области 300 мкм изготовлены фотопреобразовательные Au–nSi– Au-структуры с потенциальными барьерами. Полученные диодные структуры обладают высокой фоточувствительностью в области спектра 0.9–1.1 мкм при малых интенсивностях освещения 10 лк (до 5 А/Вт). На основе проведенных исследований фотоэлектрических характеристик установлено, что Au–nSi–Au-структуры в интервале температур от комнатной до 40 С при малых рабочих напряжениях (0.1–0.2 В) различаются слабой температурной зависимостью фототоков. В принципе в спектральном диапазоне 0.7–1.1 мкм полученные диодные Au–nSi–Au-структуры вполне могут заменить в оптоэлектронных устройствах как арсенидгаллиевые, так и классические кремниевые фотодиоды с одним выпрямляющим переходом.
Автор:  О. А. Абдулхаев, Г. О. Асанова, Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов
Ключевые слова:  фотоэлектрические характеристики, фототок, потенциальные барьеры, базовая область, кремний, фотодиодная структура
Стр:  654