ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ Xe НА СТРУКТУРУ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ КРЕМНИЯ И ДИОКСИДА КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ InAs

Приведены результаты исследований структурных и оптических свойств нанокластеров InAs, сформированных методом ионной имплантации, в матрицах кремния и диоксида кремния. Обнаружено влияние термообработки при температуре 900^о C и облучения ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсом 3 ⋅ 10¹⁴ см^–2 на структуру и фотолюминесценцию сформированных систем. Установлено, что облучение ионами Xe ослабляет фотолюминесценцию системы "InAs в Si" в ближнем ИК-диапазоне. В случае системы "InAs в SiO₂" облучение ионами Xe приводит к усилению интенсивности и уширению спектра люминесценции в видимой области спектра (550–750 нм). Обнаружено упорядочение нанокластеров и их вытягивание вдоль траектории ионов Xe в матрице SiO₂.
  Автор:  Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко, Л. А. Власукова, Н. С. Нечаев, В. А. Скуратов, В. Н. Ювченко
Ключевые слова:  ионная имплантация, нанокластеры InAs, быстрые тяжелые ионы, треки, термообработка, кристаллический кремний, диоксид кремния, резерфордовское обратное рассеяние, просвечивающая электронная микроскопия, фотолюминесценция
Стр:  527