ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ НА ТОКОВЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

Изучено влияние толщины базовой области с глубокими примесными уровнями на фотоэлектрические характеристики диодной (Ag-nGaAs-n+GaAs) структуры с барьером Шоттки. При освещении интегральным светом с макс = 0.55 мкм обнаружено уменьшение обратного светового тока (гашение) по сравнению с темновым в одних структурах и его превалирование при прямых смещениях в других. Уменьшение светового тока объясняется особенностями захвата световых носителей и их рекомбинацией с темновыми носителями, когда падение напряжения на барьере Шоттки превосходит значение в базовой области и, наоборот, увеличение светового тока - большим падением напряжения в базовой области.
Автор:  Д. М. Ёдгорова
Стр:  188