ТОМ 80, №3
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Предложена модель расчета параметров биполярного транзистора и установлены закономерности их изменения при быстрой термической обработке ионно-легированных слоев кремния.
Автор: В. А. Пилипенко, Д. В. Вечер, В. А. Горушко, Т. В. Петлицкая, В. С. Сякерский
Стр: 181
В. А. Пилипенко, Д. В. Вечер, В. А. Горушко, Т. В. Петлицкая, В. С. Сякерский.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 80, №3. С. 181.
Возврат к списку