ТОМ 80,   №3

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ


Предложена модель расчета параметров биполярного транзистора и установлены закономерности их изменения при быстрой термической обработке ионно-легированных слоев кремния.

Автор:  В. А. Пилипенко, Д. В. Вечер, В. А. Горушко, Т. В. Петлицкая, В. С. Сякерский
Стр:  181

В. А. Пилипенко, Д. В. Вечер, В. А. Горушко, Т. В. Петлицкая, В. С. Сякерский.  МОДЕЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // Инженерно-физический журнал. . ТОМ 80, №3. С. 181.


Возврат к списку