СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА 6H-SiC, РАЗМЕЩЕННОГО В СИЛЬНОМ ОДНОРОДНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ

Проведено теоретическое исследование коэффициентов внешнего отражения одноосного полярного оптически анизотропного монокристалла SiC (политип 6H) при наличии влияния сильного однородного магнитного поля (в случаях конфигураций Фарадея и Фогта). Впервые в спектрах внешнего отражения монокристалла 6H-SiC обнаружены области проявления новых осцилляций, обусловленных влиянием сильного однородного магнитного поля. Изученa взаимосвязь фононов с плазмонами в монокристалле 6H-SiC под действием сильного однородного магнитного поля.
Автор:  Е. Ф. Венгер, А. И. Евтушенко, Л. Ю. Мельничук, А. В. Мельничук
Ключевые слова:  карбид кремния, спектр внешнего отражения, монокристалл SiC (политип 6H).
Стр:  1187