ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ПОЛЯ, РАЗВИВАЮЩИЕСЯ ПРИ РЕЗАНИИ САПФИРА И АЛМАЗА

Приведены результаты исследования температурных полей, возникающих при резании кристаллических материалов. Распределение температуры в зоне резания и прилегающих областях определяли с помощью инфракрасного термографа. Показано, что при распиливании сапфира максимальная температура регистрируется на некотором расстоянии перед зоной реза. С течением времени температура сапфира монотонно возрастает или проходит через максимум в зависимости от приложенной нагрузки. Кинетическая зависимость температуры алмаза также проходит через максимум. Установлено, что при жестких режимах резания температура кристалла значительно повышается, что может приводить к отделению крупных частиц алмаза предположительно вследствие роста усталостных трещин, вызванного интенсивным нагревом материала.
Автор:  П. Н. Богданович, Д. В. Ткачук, Д. А. Близнец
Стр:  569