РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ InP, ОБЛУЧЕННЫХ ГАММА-КВАНТАМИ 60Со

Методом радиотермолюминесценции исследован процесс образования антиструктурных дефектов в кристаллах легированного оловом InP, подвергнутых облучению гамма-квантами дозой 10-100 кГр. Обнаружено, что энергия активации уровня 0.26 эВ благоприятствует получению полуизолирующего фосфида индия.
Автор:  Ш. Ш. Рашидова
Ключевые слова:  антиструктурный дефект, метод радиотермолюминесценции, энергия активации.
Стр:  442