ОБРАЗОВАНИЕ ОКСИДОВ ПРИ ТЕРМИЧЕСКОМ УДАЛЕНИИ СВЯЗКИ И ИХ РОЛЬ В ПОЛУЧЕНИИ РЕАКЦИОННО-СВЯЗАННОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ

Исследовано образование оксидов кремния на поверхности карбида кремния при термическом удалении парафиновой связки из порошковой карбидокремниевой отливки в атмосфере воздуха при температуре 600–900^o С. Определена оптимальная температура процесса 630^o С, позволяющая получить SiC-основу с максимальной пористостью и механической прочностью на изгиб 0.5 МПа. Показано, что поверхностные оксиды восстанавливаются твердым углеродом в процессе изготовления композита C–SiC на стадии пиролиза в вакууме при 1600^o С и не оказывают влияния на последующий процесс жидкофазного силицирования C–SiC при получении реакционно-связанной карбидокремниевой керамики. Количество твердого углерода, расходуемое на восстановление оксидов, составляет заметную часть от углерода, вводимого в поры SiC-основы при подготовке C–SiC к силицированию, и должно учитываться в качестве поправки в расчетах состава промежуточного и конечного материалов керамики.
  Автор:  П. С. Гринчук, М. В. Кияшко, М. О. Стёпкин, А. В. Акулич, Д. В. Соловей, С. М. Данилова-Третьяк
Ключевые слова:  карбид кремния, реакционно-связанная керамика, пористость, пиролиз, окисление, восстановление
Стр:  896