ТОМ 28,   №3

Теоретическое исследование приэлектродного потенциального слоя с учетом поверхностной ионизации и эффекта Шоттки


 

Автор:  А. В. Потапов, Л. Е. Цветкова
Стр:  482

А. В. Потапов, Л. Е. Цветкова.  Теоретическое исследование приэлектродного потенциального слоя с учетом поверхностной ионизации и эффекта Шоттки // Инженерно-физический журнал. . ТОМ 28, №3. С. 482.


Возврат к списку