ТОМ 28, №3
Теоретическое исследование приэлектродного потенциального слоя с учетом поверхностной ионизации и эффекта Шоттки
Автор: А. В. Потапов, Л. Е. Цветкова
Стр: 482
А. В. Потапов, Л. Е. Цветкова.
Теоретическое исследование приэлектродного потенциального слоя с учетом поверхностной ионизации и эффекта Шоттки // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 28, №3. С. 482.
Возврат к списку