ТОМ 44, №3
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 2. Исследование процессов движения носителей зарядов в ячейке И2Л
Автор: Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр: 474
Абрамов И. И., Харитонов В. В. .
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 2. Исследование процессов движения носителей зарядов в ячейке И2Л // Инженерно-физический журнал.
. ТОМ 44, №3. С. 474.
Возврат к списку