ТОМ 44,   №3

Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 2. Исследование процессов движения носителей зарядов в ячейке И2Л



Автор:  Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр:  474

Абрамов И. И., Харитонов В. В. .  Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 2. Исследование процессов движения носителей зарядов в ячейке И2Л // Инженерно-физический журнал. . ТОМ 44, №3. С. 474.


Возврат к списку